9 apr. 2006
0 minuten
De gate-elektroden van transistoren worden bij verdere miniaturisering steeds dunner – het tot dusverre zo ideale materiaal silicium komt aan zijn grenzen. De producentenorganisatie Sematech heeft nu besloten om naast slicium-germanium ook puur germanium en halfgeleiderverbindingen (AIIIBV-verbindingen) te gebruiken voor de gate-elektrode. Er is onderzoek nodig om te zien of deze materialen kunnen samengaan met […]
De gate-elektroden van transistoren worden bij verdere miniaturisering steeds dunner – het tot dusverre zo ideale materiaal silicium komt aan zijn grenzen. De producentenorganisatie Sematech heeft nu besloten om naast slicium-germanium ook puur germanium en halfgeleiderverbindingen (AIIIBV-verbindingen) te gebruiken voor de gate-elektrode. Er is onderzoek nodig om te zien of deze materialen kunnen samengaan met de eveneens vereiste ‘high-k’-materialen die nodig zijn voor een betere isolatie van de gate-elektorde. Met dergelijk onderzoek wordt nu begonnen.