9 apr. 2006
0 minuten
Freescale Semiconductors heeft volgens eigen opgave de eerste galliumarsenide MOSFET ter wereld ontwikkeld. MOSFET’s werden tot dusverre uitsluitend gerealiseerd in silicium; GaAs geldt als een ‘exotisch’ materiaal, ondanks de goede HF-eigenschappen ervan. De nieuwe GaAs-MOSFET maakt veel nieuwe toepassingen mogelijk: de grensfrequentie tot welke de component kan worden gebruikt ligt aanmerkelijk hoger dan bij silicium. […]
Freescale Semiconductors heeft volgens eigen opgave de eerste galliumarsenide MOSFET ter wereld ontwikkeld. MOSFET’s werden tot dusverre uitsluitend gerealiseerd in silicium; GaAs geldt als een ‘exotisch’ materiaal, ondanks de goede HF-eigenschappen ervan. De nieuwe GaAs-MOSFET maakt veel nieuwe toepassingen mogelijk: de grensfrequentie tot welke de component kan worden gebruikt ligt aanmerkelijk hoger dan bij silicium. Bovendien is de frequentieafhankelijke ruis van GaAs beduidend lager.
De GaAs MOSFET in de off-toestand. (ill.: Freescale Semiconductors)