5 feb. 2007
0 minuten
Het zal niet lang meer duren voor de eerste transistoren worden geïntroduceerd met een kantelfrequentie van 1 terahertz. Het huidige record werd gepresenteerd op de International Electronic Devices Meeting in San Francisco, door een team rond professor Milton Feng, van de University of Illinois.
Bij kamertemperatuur haalde hun transistor – van indiumfosfide en indiumgalliumarsenide – 765 GHz. Bij koeling tot -55 °C bleek zelfs 845 GHz mogelijk. De basis van de transistor is slechts 12 nm dik – 10 000 maal dunner dan een mensenhaar.