17 feb. 1999
1 minuut
Siltronic AG en Imec gaan samenwerken aan de ontwikkeling van silicium wafers met een galliumnitride-laag. Doel is de productie van vastestofverlichting (bijvoorbeeld led’s) en vermogenshalfgeleiders op 200 mm wafers.
GaN is een veelbelovend materiaal. Het combineert een superieure elektronenmobiliteit aan een hoge brakdown-spanning en goede thermische geleiding. Het materiaal is bijzonder geschikt voor opto-elektronica en gevananceerde vermogenselektronica. Vergeleken met conventionele siliciumhalfgeleiders vertonen structuren met GaN/(Al)GaN-lagen een bijzonder efficiënt schakelgedrag. De GaN-technologie moet echter nog verder worden verfijnd om ook economisch concurrerend te zijn. Dit zou kunnen worden gerealiseerd met goedkope en efficiënte productiemethoden voor epitaxiale depositie van GaN/(Al)GaN-structuren op grote silicium wafers.
Siltronic is wereldwijd marktleider op het gebied van silicium wafers en heeft tientallen jaren ervaring met de epitaxiale depositie van materialen op silicium en Imec is een pionier in GaN-depositie op silisium substraten met een diameter van 2 tot 6 inch. Door schaalvoordelen zou de productie op 200 mm wafers kunnen leiden tot significante kostenverlaging voor GaN-led’s en -vermogenshalfgeleiders.
Anderen lazen ook
