17 feb. 1999
1 minuut
De business groep Semiconductor Manufacturing Technology van Zeis en TNO definiëren de haalbaarheid en de eisen voor een nieuwe experimentele omgeving om de impact van stralingsgeïnduceerd plasma op materiaaleigenschappen en vacuümcondities te bestuderen.
Belangrijkste doel is het onderzoeken van moleculaire contaminatie-effecten op reflecterende oppervlakken omder extreem ultraviolette straling. Dat moet leiden tot een versnelde ontwikkeling van optische componenten voor de volgende generatie machines voor de productie van snellere en kleinere computerchips.
"Voor de steeds verder gaande race om kleinere chipstructuren is het nodig om de fysica en de chemie van de interactie tussen metalen en fotonen volledig te begrijpen en toe te passen. Zeiss en TNO ontwikkelen samen een state-of-the-art experimentele faciliteit om het gedrag van componenten en materialen bij EUV belichting te karakteriseren en analyseren. Dit initiatief komt voort uit een langdurige relatie tussen TNO en Zeiss. Al meer dan tien jaar doen we samen uitdagende ytechnische en wetenschappelijke projecten", zegt dr. Thomas Stammler, senior director Design & Technology van de Zeiss Semiconductor Manufacturing Technology business groep.
Anderen lazen ook
