EpiGaN NV, een wereldleider op het gebied van III-nitride epitaxiale halfgeleider materialen, heeft de prestigieuze titel Nationaal Trends Gazellen Ambassadeur in de categorie ‘Starter van het jaar’ gewonnen. Deze Belgische prijs wordt naar jaarlijkse gewoonte uitgereikt aan een starter met een snelle groei in omzet en werknemers gedurende de voorbije 3 jaren. De genomineerder worden voorts geselecteerd voor hun hoog-innovatieve producten, gebruikt in een grote en internationale markt, de mooie groeiperspectieven en lokale job creatie. De prijs werd uitgereikt door Vlaams Minister-President, mr. Kris Peeters, in Brussel.
"We zijn enorm trots en blij met deze titel en erkenning," zegt Marianne Germain, CEO en medeoprichter van EpiGaN. "We vinden het geweldig om beloond te worden voor het harde werk van het hele team en constante inzet sinds de oprichting in 2010. En dit is nog maar het begin, want we zijn volop bezig met de uitbreiding van onze productiecapaciteit om de volumegroei van onze klanten wereldwijd te steunen."
EpiGaN bedekt silicium schijven met een laagje galliumnitride (GaN). Deze GaN-on-Si (gallium nitride-op-silicium) epitaxiale schijven worden gebruikt om transistoren te maken die terechtkomen in hoogspanning vermogensschakelingen en hoogfrequente RF-componenten. Deze GaN-schakelingen helpen om energie te besparen in opladers voor draagbare consumentenelektronica, industriële voedingsbronnen, AC motoren, GSM-masten, kabel TV infrastructuur enz.
EpiGaN verkoopt deze GaN-on-Si epitaxiale schijven aan klanten wereldwijd.
Het bedrijf heeft zijn productiefaciliteiten op de Corda campus in Hasselt geïnstalleerd omdat de cleanroom-infrastructuur aanwezig was. Het is ideaal gelegen in een zeer internationaal gebied, de driehoek Aken, Eindhoven en Leuven. EpiGaN is een van de weinige Vlaamse bedrijven die de productie van hoog technologische producten lokaal doen en zo jobs creëren.
Over EpiGaN
EpiGaN werd opgericht in 2010 door Marianne Germain, Stefan Degroote en Joff Derluyn, als spinoff van imec. Het voorziet oplossingen op wereldniveau op het vlak van III-nitride epitaxiale materialen voor toepassingen met extreme prestaties. In 2011, investeerden Capricorn Cleantech Fund, Robert Bosch Venture Capital (RBVC), en LRM gezamenlijk in EpiGaN om de productie van GaN-op-silicium op te starten. EpiGaN geeft de devicefabrikanten toegang tot een unieke, bewezen en krachtige technologie in belangrijke marktsegmenten zoals voedingsbronnen, hybride en elektrische voertuigen, AC motoren, RFvermogen voor basisstations, smart grid,… EpiGaN heeft haar activiteiten ondergebracht op de Corda Campus Hasselt in Limburg.
Voor meer information, ga naar http://www.epigan.com/


